IBM，high-k絶縁膜用ハフニウムの特性解析にスパコン「Blue Gene」を活用
Mar
03
2007
米IBMは，高誘電率（high-k）絶縁膜と金属ゲート電極によるトランジスタを開発する過程で，スーパーコンピュータを使って新素材である二酸化ハフニウム（HfO2）の特性シミュレーションを行った。IBMがスイスで現地時間2月26日に明らかにした。
このシミュレーションは，スイスのチューリッヒにあるIBMの研究所でスーパーコンピュータ「Blue Gene」を使って実施した。目的について，IBMは「HfO2の特性が，半導体業界で検討されてきたほかのhigh-kより優れている理由を知るため」と説明する（引用：日経BPnet）。
【スポンサード広告】
関連記事
このページをTwitterでつぶやくもしくはReTweetする
つぶやく場合は青、ReTweetしていただける場合は赤をクリックしてください！
この記事のTwitterでのつぶやかれ
Facebookページもどうぞ
この記事を評価してくださいませんか？皆さんのコメントもお待ちしております！！
評価は下の星にマウスをあわせてドラッグしてください。1~5段階です。コメントはWrite a reviewをクリックして入力してください。ユーザー登録不要です。
ホーム > 元素 > IBM，high-k絶縁膜用ハフニウムの特性解析にスパコン「Blue Gene」を活用
« 「元素戦略プロジェクト」に関する研究開発課題の募集について | トップページ | 独バイエル、世界全体で6100人を削減へ »
