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米IBMは，高誘電率（high-k）絶縁膜と金属ゲート電極によるトランジスタを開発する過程で，スーパーコンピュータを使って新素材である二酸化ハフニウム（HfO2）の特性シミュレーションを行った。IBMがスイスで現地時間2月26日に明らかに…
文部科学省と経済産業省は、平成19年度よりそれぞれ「元素戦略プロジェクト」及び「希少金属代替材料開…
カルボン酸β位のC–Hをベターに臭素化できる配位子さん！
カルボン酸のb位C(sp3)–H結合を直接臭素化できるイソキノリン配位子が開発された。イソキノリンに…
【12月開催】第十四回 マツモトファインケミカル技術セミナー 有機金属化合物 オルガチックスの性状、反応性とその用途
■セミナー概要当社ではチタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素等の有機金属化合物を“オルガチッ…
保護基の使用を最小限に抑えたペプチド伸長反応の開発
第584回のスポットライトリサーチは、東京大学大学院 薬学系研究科 有機合成化学教室（金井研究室）の…
【ナード研究所】新卒採用情報（2025年卒）
NARDでの業務は、「研究すること」。入社から、30代・40代・50代……
書類選考は3分で決まる！面接に進める人、進めない人
人事担当者は面接に進む人、進まない人をどう判断しているのか？転職活動中の方から、…
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