米IBMは，高誘電率（high-k）絶縁膜と金属ゲート電極によるトランジスタを開発する過程で，スーパーコンピュータを使って新素材である二酸化ハフニウム（HfO2）の特性シミュレーションを行った。IBMがスイスで現地時間2月26日に明らかに…
文部科学省と経済産業省は、平成19年度よりそれぞれ「元素戦略プロジェクト」及び「希少金属代替材料開…
株式会社ナード研究所ってどんな会社？
株式会社ナード研究所は、化学物質の受託合成、受託製造、受託研究を通じて、研究開発…
付加重合でポリアミドを作る!?：多段階ラジカル異性化による新たなポリマー主鎖構築
第706回のスポットライトリサーチは、京都大学大学院工学研究科（大内研究室）に所属されていた黒田啓太…
第33回光学活性化合物シンポジウム
第33回光学活性化合物シンポジウムのご案内光学活性化合物の合成および機能創出に関する研究で顕著な…
Carl Boschの人生 その13
Tshozoです。 少し唐突ですが最初に大事なお知らせを。世界トップの化学会社BASFがCarl…
ラングミュアの吸着等温式 Langmuir equation
ラングミュアの吸着等温式 (Langmuir equation) は、等価な吸着サイトが独立に振舞い…
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