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米IBMは，高誘電率（high-k）絶縁膜と金属ゲート電極によるトランジスタを開発する過程で，スーパーコンピュータを使って新素材である二酸化ハフニウム（HfO2）の特性シミュレーションを行った。IBMがスイスで現地時間2月26日に明らかにした。
このシミュレーションは，スイスのチューリッヒにあるIBMの研究所でスーパーコンピュータ「Blue Gene」を使って実施した。目的について，IBMは「HfO2の特性が，半導体業界で検討されてきたほかのhigh-kより優れている理由を知るため」と説明する（引用：日経BPnet）。
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