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東レ株式会社（本社：東京都中央区、社長：榊原定征、以下「東レ」）は、この度、独自のナノ構造制御技術を駆使して、シリコンウェハー上にラミネートした後、未硬化のままウェハーと一括でダイシング（１）が可能なエポキシ系半導体実装用接着剤を開発し、これを用いたフリップチップ接続（２）用ＷＬ－ＮＣＦ（３）（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｎｏｎ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）の技術確立に成功しました。本技術により、ＬＳＩ（４）実装面積の極小化（５）と工程簡略化（６）が実現でき、薄型ディスプレイの小型化や生産性向上などへの対応が期待されます。今後、半導体メーカーとの共同開発を進めることで１～２年後には世界初の実用化を目指してまいります。なお、本開発品は本年１２月６～８日に幕張メッセで開催される「セミコン・ジャパン２００６」に出展する予定です。(引用：日経プレスリリース)
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