中村修二(なかむら しゅうじ、1954年5月22日-)は米国籍を持つ電子工学者・化学者である(写真:Tekniikka&Talous)。米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授。日亜化学時代に行った、窒化ガリウムを主成分とする青色発光ダイオードの実用化研究にて2014年にノーベル物理学賞を受賞。
経歴
1954年愛媛県に生まれる。
1977 徳島大学工学部電気工学科 卒業
1979 徳島大学大学院工学系研究科 修士課程修了
1979-1999 日亜化学工業 勤務
1987-88 フロリダ大学電子工学部 留学
1994 徳島大学 博士号取得
2000-現在 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 教授
受賞歴
1994 応用物理学会論文賞
1996 仁科記念賞
1996 IEEE/LEOS エンジニアリングアチーブメント賞
1997 大河内記念賞
1997 MRS Medal Award
1998 IEEE Jack A. Morton Award
1998 Ｃ＆Ｃ賞
1998 英国ランク賞
2000 本田賞
2000 Carl Zeis Research Award
2001 朝日賞
2001 OSA Nick Holonyak, Jr. Award
2001 IEEE Quantum Electronics Award
2002 武田賞 (赤崎勇・天野浩と共同受賞)
2002 ベンジャミン・フランクリンメダル
2006 フィンランド ミレニアム・テクノロジー賞
2008 アストゥリアス皇太子賞
2009 ハーベイ賞
2011 エミー賞 技術開発部門
2012 SVIPLA Inventor of the Year
2014 ノーベル物理学賞
研究業績
窒化ガリウム(GaN)青色発光ダイオードの実用化
専門は電子材料、結晶成長、半導体デバイス。
赤崎・天野らが得た窒化ガリウム結晶成長法に関する基礎的知見を発展させる形で、ツーフロー有機金属気相成長法(MOCVD)を提案[3]、1993年には世界ではじめて高輝度青色LEDの工業化・量産化に成功した。この功績により、赤崎・天野両名とともに2014年のノーベル物理学賞を受賞した。
(画像：Wikimedia commons)
関連文献
[1] (a) Nakamura, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1705 DOI: 10.1143/JJAP.30.L1705 (b) Nakamura, S.; Senoh, M.; Mukai, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1998. DOI: 10.1143/JJAP.30.L1998
名言集
コメント＆その他
相当にアクの強い、個性的なキャラクターの持ち主です(研究者には大なり小なりそういう人が多いですが)。会社員として研究開発を行ったうえでの訴訟。そのやり口は各方面にて賛否両論を引き起こしました。とはいえ、「理系研究者が薄給で文系管理者にいいように使われる」という旧来のスタイルから、「能力や発明対価をきちんと評価すべき」という流れへ、変化の鈍い日本社会を動かしてしまった彼の行動力・アピール力は無視できないものがあると思います。
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