関東化学が発行する化学情報誌「ケミカルタイムズ」。年4回発行のこの無料雑誌の紹介をしています。
今回の特集は「表面処理技術」。非常に幅広い分野であり、よくぞ特集にしたという内容。シリコン製剤からCVDの応用、めっきや酸化物半導体まで様々な表面処理技術を取り扱っています。
なお各記事はそれぞれのタイトルをクリックしていただければ全文無料で閲覧可能です。PDFファイル）。1冊すべてご覧になる場合はこちら。
シリコン製剤による体内水素発生と医薬応用
阪大医学部島田 昌一教授らによる寄稿。読みましたが、内容や効果に関しては疑問なので、紹介までに。
ミストCVD法による各種薄膜形成技術
株式会社FLOSFIAの四戸 孝取締役CTOによる寄稿。この会社京大発のベンチャー企業でミストドライ®技術を中心に成膜、酸化ガリウムGa2O3をもちいた電源モジュールを主事業としているようです。ミストドライ®は液状原料を霧状（ミスト）にして、基板上に輸送し、非真空プロセスで成膜する方法。いわゆる液体を使ったCVでガス状態にするのが難しく材料に使える表面処理技術です。記事では、そのミストドライ法の説明と応用について紹介しています。
ミストドライの適用製品 (Chemical Timesより)
極薄超精密無電解金めっき
東工大の真島豊教授による記事。同研究室ではボトムアップエレクトロニクスに着目し研究を行っています。具体的には、無電解金メッキを用いて金のナノギャップ電極を構築するプロセス技術に関する研究、分子分解能走査型トンネル顕微鏡を用いて、常温分子メモリや、分子間共鳴トンネルダイオードに関する研究や金属ナノ粒子を用いた単一電子デバイスの論理回路動作実証に関する研究、新しい磁気力顕微鏡に関する研究です。本記事では、無電解金メッキについて詳しく述べています。
ギャップ長の精密制御のために、モノアルキルトリメチルアンモニウムブロミドを金表面に反応させています。
無電解金メッキ（Chemical Timesより）
Cu配線を備えた酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるキャップ層の導入による特性安定化
神戸製鋼所とグループの総合試験研究会社コベルコ科研による共同執筆記事。
本記事では、酸化物半導体TFTに対するCu配線を導入した際の特製劣化問題とその解決策として酸化ギャップ層を用いた積層型の酸化物半導体TFTについて紹介しています。
例えば、TFTで用いられる配線の加工の話。Cu配線には過酸化水素を主剤としたエッチング液が使用されます。酸化物半導体にはエッチング液に対する耐性が求められ、IGZO系酸化物半導体の場合、Cu配線で用いられる過酸化水素系エッチング溶液の耐性はその構成比によっってことなります。Zn添加量の多い領域ではエッチング速度が高く、Ga添加量が多い領域では低くなる傾向がみられます。
In-Ga-Zo-O系における過酸化水素系に対するエッチング速度（Chemical Timesより）
いずれの記事も、表面加工の基礎についての記事が日本語で読めますので、ぜひご覧になってはいかがでしょうか。
過去のケミカルタイムズ解説記事
- HACCP制度化と食品安全マネジメトシステム（2019 No.3）
- C–H活性化反応 (2019 No.2)
- 遺伝子工学ーゲノム編集と最新技術 (2019. No.1)
- 感染制御ー薬剤耐性 (2018.No.4)
- 天然物の全合成研究 (2018. No.3)
- 有機分子触媒(2018.No. 2)
- 分析技術（2018, No.1）
- イオン液体（2017年 No.4）
- 電子デバイス製造技術（2017年 No.3）
- 食品衛生関係 ーChemical Times特集より (2017年 No.2)
- 免疫／アレルギー（2017年No.1）
- 標準物質（2016年No.4）
- 再生医療(2016年No.3)
- クロスカップリング反応 (2016年No.2)
- 薬物耐性菌を学ぶ (2016年No.1)
