関東化学が発行する化学情報誌「ケミカルタイムズ」。この情報誌の紹介も完全にシリーズ化し、今回で７回目。毎度のことながらケミカルタイムズという雑誌名を超えた、幅広い分野が扱われています。
今回はタイトルにあるように、特集として「電子デバイス製造技術」にスポットをあてた4つの記事について紹介したいと思います（記事はそれぞれのタイトルをクリックしていただければ全文無料で閲覧可能です。PDFファイル）。
省資源・省エネ・超低設備コストを実現した超小型デバイス製造システム－ミニマルファブ
近年の快適生活にはなくてならない電子デバイス。これらをつくる電子デバイス工場（メガファブ）は需要加速により拡大に拡大を重ね、いまでは１ライン当たり１兆円規模の投資が必要となるそうです。ただそれだけの投資を回収できるほどの受注を得られているのはごくわずか。単一デバイスではほとんどありません。現状では1万個以下の受注が多く、そのオーダーに適した「小さな工場」が求められています。
本記事では多品種少量生産に特化した超小型製造システム「ミニマルファブ」についての概要を述べています。
電子デバイス超小型製造システム「ミニマルファブ」
すべてのデバイスに対応できるわけではなく一長一短ありそうですが、投資額と電力消費をメガファブの1/1000とすることを目指しています。上記の写真にあるようにすでにデバイス製造システムとして具現化、試作されており、実際の電子デバイス製造として実用化される日も近いようです。
半導体製造CMP工程後の洗浄技術
ウェーハ表面を研磨により平坦化する技術を化学機械平坦化（CMP: Chemical Mechanical Planarization）といいます。
半導体製造工程の１つであるCMP技術も埋め込み→平坦化を目的とした基本的な工程は代わりませんが、最近、半導体チップの微細化・高集積化にともなう材料の変化により、平坦性や欠陥のさらなる厳しい管理が求められています。
CMPのイメージ
本記事ではCMP装置の変遷からはじまり、主にCMP後の洗浄（砥粒、研磨屑、有機残渣、金属不純物などの残留物を除く）方法について述べています。
CMP後の洗浄の流れと薬液と装置の位置づけ
半導体CMPプロセスにおける 金属腐食の電気化学解析
上述したCMPには様々なものがありますが、その中でも銅やコバルトのような金属のCMPを行う場合腐食を抑制することが重要な課題であり、そのためには電気化学解析が最も有効な手法としてもちいられます。記事では通常のpH-酸化還元電位図に腐食電流を加えた三次元図（著者らが開発・提案）を実験的に作成した例を紹介しています。
上図の深い溝になっている部分が腐食でにであり、それよりも右下（低電位側）の不活態領域では水素が発生する還元反応が起こっており、電流密度が高くても腐食は起こらない。腐食電位の左上（高電位側）の酸性側に低電流密度領域が存在し（白い領域）、実験にもちいたCMPスラリー（pH3）の腐食電流は非常に低いことがわかります。
*スラリー：CMPに使用される研磨液のこと
有機残渣除去性を改善した新規なアルカリ性Cu-CMP後洗浄液
一番化学っぽい記事。現在Cu-CMP後洗浄プロセスで最も大きな課題である
「CMP後にウェーハ表面に残留する有機残渣除去性の改善」
を目的として、アルカリ性水溶液中での各種錯化剤の効果を調査に基づいた結果として報告しています。有機残渣にはCu防食剤として含まれている1,2,3-ベンゾトリアゾール(BTA)のようなヘテロ環がCuと作用して錯体となって安定化しているものが多いとのこと。これらに錯化剤（含窒素五員環化合物）を作用させてはがすことにより、有機残渣を除去するといったわけです。
Cu-BTA錯体除去の推定反応メカニズム
著者は関東化学の室長であり、関東化学でも同CMP後洗浄溶液を販売しています。関連商品を御覧ください。
関連製品
- 電子材料洗浄液（関東化学）
過去のケミカルタイムズ解説記事
- 電子デバイス製造技術（2017年 No.3）本記事
- 食品衛生関係 ーChemical Times特集より (2017年 No.2)
- 免疫／アレルギー（2017年No.1）
- 標準物質（2016年No.4）
- 再生医療(2016年No.3)
- クロスカップリング反応 (2016年No.2)
- 薬物耐性菌を学ぶ (2016年No.1)
