単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）は、優れた物性を示し、各種の応用が期待されているが、肝心の合成技術はまだ発展段階にあり確立されていない。そのハードルの一つは、粒径１～３ｎｍ程度の金属ナノ粒子触媒をどのようにして基板上に合成するかであるが、東大院工学研究科の野田優助手(小宮山宏研究室)らは、コンビナトリアル的な触媒探索法を開発、１回の実験で高活性な触媒の合成に成功した。（引用：地財情報局）小宮山先生は現在東京大学の総長です。
従来のＳＷＮＴ触媒は
A.ナノ粒子触媒を作製して基板上にまく方法
B.触媒原料を基板上にまいて基板上でナノ粒子を合成する方法
でつくられていましたが、Aでは、高温のために粒子どうしがしばしば凝集して粗大化する、2では、試行錯誤によるため時間・コストがかかるといった問題点がありました。
それを、ナノ粒子の自発形成を活用したもので、ちょうどよい量の原料を基板の上にまき、ＣＶＤと同等の高温で動かして目的サイズのナノ粒子にするというもの。その量を予測する平均膜厚スクリーニング法も開発しています。これは、基板の上に穴あきマスクを置くだけで１ｐｍ～１ｎｍを連続的にスクリーニングできる極めて簡単な手法だそうです。実際、同法を用いて、一回の実験で高活性な触媒を発見、高品質なＳＷＮＴの合成に成功しています。
それを、ナノ粒子の自発形成を活用したもので、ちょうどよい量の原料を基板の上にまき、ＣＶＤと同等の高温で動かして目的サイズのナノ粒子にするというもの。その量を予測する平均膜厚スクリーニング法も開発しています。これは、基板の上に穴あきマスクを置くだけで１ｐｍ～１ｎｍを連続的にスクリーニングできる極めて簡単な手法だそうです。実際、同法を用いて、一回の実験で高活性な触媒を発見、高品質なＳＷＮＴの合成に成功しています。
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